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搁滨贰反应离子刻蚀机

产物参数

CIF推出搁滨贰反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体公司实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。
属性
产物名称
型号
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搁滨贰反应离子刻蚀机
RIE200/plus
生产厂家
1213次
2024-03-18

产物详情

   CIF 推出 RIE 反应离子刻蚀机,采用 RIE 反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所,微电子、半导体公司实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行 RIE 反应离子刻蚀。
具体包括:
◆ 介电材料(SiO2、SiNx 等)
◆ 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
◆  III-V 材料(GaAs、InP、GaN 等)
◆ 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W 等)
◆ 类金刚石(DLC)
应用领域:
主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。
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产物特点

◆  7 寸彩色触摸屏中英文互动操作界面,自动控制监测工艺参数状态,20 个配方程序,工艺数据可存储追溯。

◆  PLC 工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。

◆  真空舱体、全真空管路系统采用 316 不锈钢材质,耐腐蚀无污染。

◆  采用防腐数字流量计,  实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统, 可选多气路气体输送系统, 可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

◆  采用花洒式多孔进气方式,改变单孔进气不均匀问题。

◆  HEPA 高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。

◆  符合人体功能学的 60 度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。

◆  采用顶置真空舱,上开盖设计,下压式铰链开关方式。

◆  上置式 360 度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。

◆  有效处理面积大,可处理最大直径 154mm 晶元硅片。

◆  安全保护,舱门打开,自动关闭电源,机器运行、停止提示。


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